2nm以下先進半導體將帶來什麼樣的製造環境? 產業技術綜合研究所 先進半導體研究中心 中心主任 昌原明植訪談
產業對產線的高精度需求越趨迫切,嘗試摸索新的製造設備

日本的產業環境終於開始致力推動半導體,2022年8月,新成立Rapidus公司,目前正在北海道千歲市建造2nm製程節點的量產工廠;另外,也成立了專為開發2nm技術的技術研究組合尖端半導體科技中心(LSTC)。同時,在國立研究開發法人產業技術綜合研究所方面,也於2023年10月1日成立了先進半導體研究中心,是專為製造2nm製程節點的研究部門。
世界現在認知到半導體是與電腦、通訊同等重要的IT三大要素之一。為了讓日本的半導體重新回到全球的頂尖行列,產綜研已開始行動。此次,我們訪問了產綜研先進半導體研究中心主任昌原明植先生,請教了未來半導體、製造技術以及設備驅動產品所需具備的能力與條件。
產綜研為何要設立先進半導體研究中心?
先進半導體研究中心的定位是要發展出2nm製程節點以下的試驗產線,並將之提供給產業界及學術界,成立的目的即是為了架構該項基礎。昌原先生過去擔任產綜研元件技術研究部門主管,於2023年10月1日就任先進半導體研究中心主任。
回顧中心成立的經過,是從2022年8月Rapidus公司成立之前就已開始討論。目前日本的現況是,半導體產品只侷限在汽車產業的應用用途,不如過去在電視、錄影機等產品上有相當大量的需求。在半導體領域,日本的製造設備廠商及材料製造商在世界上擁有堅強的實力,海外營收占比很高。也因此有人擔心再這樣下去,製造技術可能會隨著流失到海外。面對這樣的問題,日本東京威力科創、SCREEN、佳能和產綜研共同推動一項計畫,希望在產綜研的超潔淨室中打造出試驗產線,以試作尖端3D結構邏輯元件。

這間超潔淨室以往是由產綜研的筑波創新據點(TIA)推動中心管理,此次則由產綜研元件技術研究部門商請該單位提供使用。這次所成立的先進半導體研究中心,負責超潔淨室運作和運用超潔淨室進行的研發作業,並主導在超潔淨室內建構試驗產線,用於試作具有2nm以下製程節點的元件。
與LSTC之間如何分配職責任務
Rapidus公司目前專注於2nm製程量產,往後發展則會朝向2nm以下(beyond 2nm)半導體元件的研發,為此就誕生了技術研究組合尖端半導體科技中心(LSTC)這個單位負責推動研發。Rapidus公司是LTSC的其中一員,LSTC的成立宗旨為制定2nm以下尖端半導體設計、製造所必要的研發主題,並創造新的使用案例。
LSTC不僅是設計元件,也包括材料開發、設備及元件技術開發。產綜研的元件技術研究部門不僅參與LSTC,昌原先生也兼任LSTC技術管理本部長。也就是說,產綜研的先進半導體研究中心也具有LSTC實戰部隊的作用。
先進半導體研究中心肩負的職責為,在Rapidus公司量產2nm以下元件之前,要先試作元件,全面找出各種問題並加以篩選,之後再將元件轉移給正在建造量產線的Rapidus公司。
新世代半導體的用途?
為了訓練生成式AI等大規模軟體學習,需要相當龐大的運算能力,因此需要超高性能的半導體。此外,物聯網感測器及汽車ECU中也會使用AI,並且需要AI處理。
「這邊舉兩個使用案例說明:一個是使用機器人進行遠端實際工作,是在遠端操控在工廠、辦公室等現場作業的機器人。重要的是,不僅要在機器人的眼睛位置安裝攝影機,其他部位也需具備攝影機,以便及時將自由視角所拍攝的影像輸出。這項技術並不簡單,卻可以應用來補足少子化和高齡化所導致的勞動力不足;另一個,則是處理物聯網感測器資料的AI晶片。例如,這類晶片可能具備處理預測土石流等多模態感測(同時間感測各種狀態)能力,可用於預防自然災害。」昌原先生如此說明。
2nm以下要最大程度運用GAA結構FET
2nm製程節點將使用具有環繞式閘極(Gate-all-around,GAA)結構的電晶體。昌原先生表示:「希望盡可能延長這個GAA的壽命。當2nm經過1.4nm,最後來到0.5nm節點時,可能會變成在n通道MOS電晶體上疊加p通道電晶體的CFET。」

昌原先生如此預測:「如果是這樣的話,製造設備或許就要透過延伸現有技術來升級。例如,在磊晶成長技術方面,就可能出現加入摻雜物,或是在新的面方向上使其成長等技術。因此,除了要提升精度和清潔能力之外,也必須維持一定的產出量。」
用語解說
- 磊晶成長技術:使原子在原子規則排列的晶面上沿著垂直方向規則生長的技術
- 摻雜物:在半導體晶體中會添加五價砷(As)和磷(P)等雜質,使其成為n型,這些有意添加的雜質即為摻雜物
- 晶面方向:晶體是由原子規則排列的晶面等間距堆積而成。存在於將晶體從某個方向切割後的面上的原子規則排列形成晶面,與該晶面呈垂直方向的即稱為面方向。
- 產出量(Throughput):每單位時間處理的晶圓數量
製造技術朝向監控和綠色化發展
「當談到未來的2D通道時,應該會產生新的設備。在新設備中,監控技術變得更為重要。必須一邊監控氣體的流動,同時以低延遲而精準的時間快速切換氣體。另外,製造設備本身也必須減少對環境的負擔。」
先進半導體研究中心也有半導體製程綠色化和脫碳化的計畫。如此一來,「將需要制定與環境和工廠相關的新指標。關於新的環境指標,製造先進半導體的台積電和英特爾等公司應該會提供意見,日方也必須提出新指標的方案。以往的指標是相對於工廠整體所使用的能源,總共排放了多少二氧化碳,但今後,我認為必須針對每一台設備訂立個別的指標。我們計畫利用超潔淨室和微型晶圓廠(minimal fab)來推進。」昌原先生如此表示。
開始研究使用小晶片(chiplet)的先進封裝
「台積電在產綜研當中擁有3D IC研發中心的無塵室,而封裝技術將會如何改變?這邊所說的封裝與傳統的後段製程不同,是將連接小晶片的配線精細化並使用玻璃基板等材料製造,比較接近前段製程。產綜研同時參與推動小晶片標準化的組織UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express),並與英特爾和台積電等經營決策快速的海外企業保持關係,努力跟上腳步。
在產綜研,開始製作從20/28nm到40nm、65nm、90nm等各式各樣的小晶片並使之可以組合。只要事先準備好記憶體和CPU,日本企業只需要開發AI加速器,就可以快速做出系統單晶片(SoC)。昌原先生表示:針對這種小晶片型客製化SoC設計基礎技術,「希望能由產綜研來提案」,言談間充滿積極與熱情。
在國際合作方面,以Rapidus公司為起點,已經起步。昌原先生期許:「目前正在學習日本沒有的技術,同時也希望將日本特有的技術輸出至海外」。不過,在國際合作上,也會遇到諸如智慧財產權之處理等國立研究所會遇到的問題,雖然有其困難點,但該單位也在VLSI Symposium等國際會議上與海外研究人員進行了民間的互動交流,展現了其積極推動合作關係的姿態。
PROFILE

昌原 明植(Masahara Meishoku)博士(工學)
產業技術綜合研究所 先進半導體研究中心 中心主任
1995年3月 | 早稻田大學大學院理工學研究科博士課程修畢 廣島大學廣瀨CREST計畫研究員 早大材研講師 |
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2002年 | 產業技術綜合研究所入 持續從事最先進CMOS技術相關研發 |
2005~06年 | imec客座研究員 |
2006~07年 | 經濟產業省資訊通訊機器課 |
2023年10月~ | 先進半導體研究中心主任 明治大學客座教授 應用物理學會理事 LSTC技術開發管理本部長 |
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